富士通开发4Mbit四线SPI FRAM,资料传输速度高达每秒54MB

  香港商富士通亚太电子有限公司台湾分公司 3 月 1 日宣布,富士通成功开发具有 4 Mbit 记忆容量的全新 FRAM(铁电随机存取内存)(注)产品 MB85RQ4ML,此产品于四线 SPI 界面非挥发性 RAM 市场中拥有最高密度,并开始以样本量供货。

  MB85RQ4ML 采用单一 1.8V 电源供电,使用具有 4 个 I/O pin 的四线 SPI 界面,并能达到每秒 54 MByte 的资料传输速率。

  此产品具高速运算能力与非挥发性内存特性,因此特别适用于网络建置、RAID 控制器及工业运算等领域。

  富士通充分运用 FRAM 的非挥发性、高速读写周期、高读写耐用度及低功耗特性,为穿戴式市场及物联网市场带来使用 FRAM 的免电池解决方案。

  为满足市场对非挥发性 RAM 界面速度提升的迫切需求,富士通目前已成功开发 MB85RQ4ML 4Mbit FRAM,在 FRAM 产品线中拥有最高资料传输速度。

富士通开发4Mbit四线SPI FRAM,资料传输速度高达每秒54MB

▲ 采用 16-pin SOP 的 MB85RQ4ML。

  此产品采用单一 1.8V 电源适配器及四线 SPI 界面,能以 108 MHz 运作频率达到每秒 54 MB 的资料传输速度。相较以往富士通产品中,采用 44-pin TSOP 封装中,拥有 16-bit 平行界面的 4Mbit FRAM,其传输速度最快,为每秒 13 MB,而此全新产品的资料读写速度领先前者将近 4 倍之高,且所用脚位更少。

富士通开发4Mbit四线SPI FRAM,资料传输速度高达每秒54MB

▲ 资料传输率比较。

  此产品特别适用于必须持续重写设定资料的网络设备,如路由器等。其定位介于资料储存用的高密度非挥发性内存与高速作业内存之间,并以高速存取及资料备份支持资料重写。

富士通开发4Mbit四线SPI FRAM,资料传输速度高达每秒54MB

▲ 内存于网络设备的使用案例。

  仰赖巨量资料处理能力的物联网市场,随着资料处理量不断增加,内存亦必须频繁地执行资料重写;此外,从安全观点来看,保留存取纪录也将更受到重视。有鉴于此,此产品能透过保留网络领域中存取资讯而促进设备效能的改善。

  注:

  铁电随机存取内存(FRAM)是一种采用铁电质薄膜做为电容器以储存资料的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存资料。FRAM 结合了 ROM 和 RAM 的特性,并拥有高速写入资料、低功耗和高速读 / 写周期的优点。富士通半导体自 1999 年即开始生产 FRAM,亦称为 FeRAM。

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