IBM实现9nm碳纳米管技术新突破
IBM 研究部门表示，他们已经找到了一种方法来克服碳纳米晶体管实施上的关键障碍。该公司指出，将碳纳米晶体管缩到更小的尺寸，受限于两个方面：其一是设备沟道的大小、其二是接触面的大小。IBM 表示，制作带沟道的碳纳米管是比较轻松的，但难点在于如何连接它们。部署导线是一项重大的挑战，与传统方式相比，在这么小的尺度上，其电阻抗性也会增加。
近距离看碳纳米管的样子。
该公司于今日宣布了一项创新突破，其涉及到用钼元素材料来制作纳米通道两端的接触点，然后直接将这些接触点连至晶体管线的侧面。通过这种方法，晶体管尺度的缩小就不会增加接触电阻。
IBM 研究人员表示，他们已经成功地用这种方法制作出了 9nm 的晶体管，并且预计该技术可用于 1.8nm 的节点。
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在一篇博客文章中，研究员 Shu-Jen Han 概述了碳纳米晶体管的下一个挑战：该公司现有一种用于定位纳米管的解决方案，但还必须找到一种方法来消除上面的金属（不适用于打造晶体管的部分约为 33%）。
眼下，Han 说他的团队已经开发出了一种自组装碳纳米管、并在晶圆上面定位它们的方法。他预计未来的挑战是提升纳米管的密度，以便将整个晶圆的制程缩减到 10nm 甚至更小的间距。
更多内容请翻阅《自然》上的《End-bondedcontacts for carbon nanotube transistors with low， size-independent resistance》一文（DOI: 10.1126/science.aac8006），作者为 Qing Cao、Shu-Jen Han、Jerry Tersoff、Aaron D. Franklin、Yu Zhu、Zhen Zhang、George S. Tulevski、Jianshi Tang、以及 Wilfried Haensch。
[编译自：TechReport , 来源：IBM , via]
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